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IKEIDARIKA池田理化正電子光譜TypeL-II-AS

IKEIDARIKA池田理化正電子光譜TypeL-II-AS

PSA TypeL-II ,TypeL-II-AS,PSA TypeL-P

正電子壽命光譜是一種非破壞性和高度靈敏的方法，用于評估原子級缺陷、分子間空隙和空位結(jié)構(gòu)。L-II型是可以高精度測量小型試件的機(jī)型，主要面向研究開發(fā)現(xiàn)場使用。與用于現(xiàn)場測量的LP型相比，它在測量精度和測量效率方面具有優(yōu)勢。L-II-AS型是在L-II型上安裝了進(jìn)樣器機(jī)構(gòu)的型號。連續(xù)測量固定形狀的樣品時(shí)，無需更換樣品即可高效獲取數(shù)據(jù)。

正電子壽命測定法是評價(jià)空位型晶格缺陷、分子間空隙等微小空隙的非破壞性、高靈敏度的方法。這些微孔的測量實(shí)例有很多，作為材料劣化行為的有用評價(jià)指標(biāo)，無論它們是金屬還是聚合物。

該設(shè)備PSA TypeL-P主要針對現(xiàn)場測量，具有比標(biāo)準(zhǔn)型號(PSA TypeL-II)更小、更輕的專門結(jié)構(gòu)。此外，利用新技術(shù)"反符合系統(tǒng)"，可以進(jìn)行現(xiàn)場測量，甚至可以對大型結(jié)構(gòu)進(jìn)行非破壞性測量。

特征:

可以進(jìn)行亞納米級的微孔評價(jià)(測量對象:金屬、聚合物等)。

無損測量。

可用手機(jī)電池供電。

緊湊輕巧的結(jié)構(gòu)(單手即可攜帶)。